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IRLD120

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

IRLD120

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

4-HVMDIP

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP

Menge:

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Land

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±10V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Base Product Number	IRLD120
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	270mOhm @ 780mA, 5V
Power Dissipation (Max)	1.3W (Ta)
Supplier Device Package	4-HVMDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	490 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.3A (Ta)

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