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IRFSL9N60A

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

IRFSL9N60A

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

TO-262-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO262-3

Menge:

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Land

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±30V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IRFSL9
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	750mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	170W (Tc)
Supplier Device Package	TO-262-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1400 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.2A (Tc)

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