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IRFHM8363TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRFHM8363TRPBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN

Menge:

Auf Lager : 10808 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.007

$1.007
10

$0.89775

$8.9775
100

$0.70024

$70.024
500

$0.57845

$289.225
1000

$0.45667

$456.67
2000

$0.42622

$852.44

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	2.7W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Base Product Number	IRFHM8363
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14.9mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package	8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1165pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A

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