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IRFD9113

Harris Corporation

Hersteller Teil #:

IRFD9113

Hersteller:

Harris Corporation

Paket:

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

-0.6A, -80V, 1.6 OHM, P-CHANNEL

Menge:

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Ext-Preis

485

$0.589

$285.665

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Datencode

Mfr	Harris Corporation
Series	-
Package	Bulk
FET Type	P-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Base Product Number	IRFD9113
Operating Temperature	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 300mA, 10V
Power Dissipation (Max)	-
Supplier Device Package	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	250 pF @ 25 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	600mA (Ta)

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