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IRFD9010

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

IRFD9010

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

4-HVMDIP

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP

Menge:

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Land

Menge

Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tube
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IRFD9010
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	500mOhm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max)	1W (Tc)
Supplier Device Package	4-HVMDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	240 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	1.1A (Tc)

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