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IRFD113PBF

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

IRFD113PBF

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

4-HVMDIP

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 800MA 4DIP

Menge:

Auf Lager : 2447 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.9855

$1.9855
10

$1.6454

$16.454
100

$1.30967

$130.967
500

$1.10823

$554.115
1000

$0.94031

$940.31
2000

$0.89329

$1786.58
5000

$0.85971

$4298.55
10000

$0.83125

$8312.5

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IRFD113
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	800mOhm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max)	1W (Tc)
Supplier Device Package	4-HVMDIP
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	200 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	800mA (Tc)

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