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IRFBG30PBF-BE3

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

IRFBG30PBF-BE3

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO220AB

Menge:

Auf Lager : 2625 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.337

$2.337
10

$1.94465

$19.4465
100

$1.54793

$154.793
500

$1.30976

$654.88
1000

$1.11131

$1111.31
2000

$1.05574

$2111.48
5000

$1.01605

$5080.25

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IRFBG30
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5Ohm @ 1.9A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	80 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	980 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.1A (Tc)

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