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IRFBE30PBF

Vishay Siliconix

Hersteller Teil #:

IRFBE30PBF

Hersteller:

Vishay Siliconix

Paket:

TO-220AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB

Menge:

Auf Lager : 1017 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.052

$2.052
10

$1.8449

$18.449
100

$1.48314

$148.314
500

$1.21854

$609.27
1000

$1.00965

$1009.65
2000

$0.94001

$1880.02
5000

$0.90519

$4525.95
10000

$0.87039

$8703.9

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Datencode

Mfr	Vishay Siliconix
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	IRFBE30
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1300 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.1A (Tc)

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