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IRF8513TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF8513TRPBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

8-SO

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 8A/11A 8-SOIC

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	1.5W, 2.4W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Base Product Number	IRF8513
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	8.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	766pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8A, 11A

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