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IRF8313TRPBF

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRF8313TRPBF

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

8-SO

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 30V 9.7A 8SO

Menge:

Auf Lager : 42776 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.7885

$0.7885
10

$0.6935

$6.935
100

$0.53162

$53.162
500

$0.42026

$210.13
1000

$0.3362

$336.2
2000

$0.30469

$609.38

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	HEXFET®
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	2W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	2.35V @ 25µA
Base Product Number	IRF8313
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.5mOhm @ 9.7A, 10V
Supplier Device Package	8-SO
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	760pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.7A

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