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IRF223

Harris Corporation

Hersteller Teil #:

IRF223

Hersteller:

Harris Corporation

Paket:

TO-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

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Name des Kontakts

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Harris Corporation
Series	-
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-204AA, TO-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	40W (Tc)
Supplier Device Package	TO-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	450 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4A (Tc)

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