Zuhause / Single Diodes / IRD3CH16DB6

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IRD3CH16DB6

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IRD3CH16DB6

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

Wafer

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 1.2KV 25A WAFER

Menge:

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Name des Kontakts

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Series	-
Package	Bulk
Technology	Standard
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	Die
Product Status	Obsolete
Base Product Number	IRD3CH16
Capacitance @ Vr, F	-
Supplier Device Package	Wafer
Reverse Recovery Time (trr)	190 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	5 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Current - Average Rectified (Io)	25A
Operating Temperature - Junction	-40°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	2.7 V @ 25 A

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