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IPG20N10S4L35ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPG20N10S4L35ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-4

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 8TDSON

Menge:

Auf Lager : 24151 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.197

$1.197
10

$1.06875

$10.6875
100

$0.83305

$83.305
500

$0.68819

$344.095
1000

$0.54331

$543.31
2000

$0.5071

$1014.2

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	43W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 16µA
Base Product Number	IPG20N
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.4nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1105pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A

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