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IPG20N06S4L11ATMA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPG20N06S4L11ATMA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-10

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET_)40V 60V)

Menge:

Auf Lager : 15000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.5485

$1.5485
10

$1.28915

$12.8915
100

$1.02628

$102.628
500

$0.86837

$434.185
1000

$0.7368

$736.8
2000

$0.69996

$1399.92

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	65W (Tc)
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 28µA
Base Product Number	IPG20N
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.2mOhm @ 17A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-10
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4020pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)

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