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IPG20N06S2L50ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPG20N06S2L50ATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-4

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

Menge:

Auf Lager : 10000 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.007

$1.007
10

$0.8968

$8.968
100

$0.69891

$69.891
500

$0.57735

$288.675
1000

$0.45581

$455.81
2000

$0.42542

$850.84

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	51W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 19µA
Base Product Number	IPG20N
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	560pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A

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