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IPG20N06S2L35AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPG20N06S2L35AATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-10

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 55V 2A 8TDSON

Menge:

Auf Lager : 4760 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.1685

$1.1685
10

$1.0469

$10.469
100

$0.81605

$81.605
500

$0.67415

$337.075
1000

$0.53223

$532.23
2000

$0.49675

$993.5

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	65W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 27µA
Base Product Number	IPG20N
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-10
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A (Tc)

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