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IPG16N10S4L61AATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IPG16N10S4L61AATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TDSON-8-10

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON

Menge:

Auf Lager : 9980 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.0165

$1.0165
10

$0.912

$9.12
100

$0.71079

$71.079
500

$0.58719

$293.595
1000

$0.46358

$463.58
2000

$0.43267

$865.34

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	29W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 90µA
Base Product Number	IPG16N10
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	61mOhm @ 16A, 10V
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-10
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	845pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A

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