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IDH10G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IDH10G65C5XKSA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-2-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1

Menge:

Auf Lager : 2619 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$4.56

$4.56
10

$3.8323

$38.323
100

$3.10051

$310.051
500

$2.75598

$1377.99
1000

$2.35981

$2359.81
2000

$2.22202

$4444.04

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	CoolSiC™+
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Base Product Number	IDH10G65
Capacitance @ Vr, F	300pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	PG-TO220-2-1
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	180 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	10A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 10 A

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