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IDH10G120C5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IDH10G120C5XKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-2-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO220-1

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	CoolSiC™+
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Base Product Number	IDH10G120
Capacitance @ Vr, F	525pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	PG-TO220-2-1
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	62 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Current - Average Rectified (Io)	10A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 10 A

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