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IDH09G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IDH09G65C5XKSA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-2-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 9A TO220-2-1

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	CoolSiC™+
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Not For New Designs
Base Product Number	IDH09G65
Capacitance @ Vr, F	270pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	PG-TO220-2-1
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	160 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	9A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 9 A

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