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IDH08G65C6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IDH08G65C6XKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 20A TO220-2

Menge:

Auf Lager : 1003 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$3.5055

$3.5055
10

$2.94215

$29.4215
100

$2.38032

$238.032
500

$2.11582

$1057.91
1000

$1.81166

$1811.66
2000

$1.70587

$3411.74
5000

$1.63661

$8183.05

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Base Product Number	IDH08G65
Capacitance @ Vr, F	401pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	PG-TO220-2
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	27 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	20A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 8 A

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