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IDH04G65C6XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IDH04G65C6XKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2

Menge:

Auf Lager : 13441 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.128

$2.128
10

$1.76415

$17.6415
100

$1.404

$140.4
500

$1.18803

$594.015
1000

$1.00802

$1008.02
2000

$0.95762

$1915.24
5000

$0.92162

$4608.1
10000

$0.89111

$8911.1

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	-
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Base Product Number	IDH04G65
Capacitance @ Vr, F	205pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	PG-TO220-2
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	14 µA @ 420 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	12A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.35 V @ 4 A

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