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IDH04G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IDH04G65C5XKSA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-2-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 4A TO220-2-1

Menge:

Auf Lager : 2227 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.1375

$2.1375
10

$1.7746

$17.746
100

$1.41246

$141.246
500

$1.19513

$597.565
1000

$1.01405

$1014.05
2000

$0.96335

$1926.7
5000

$0.92713

$4635.65
10000

$0.89644

$8964.4

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	CoolSiC™+
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Base Product Number	IDH04G65
Capacitance @ Vr, F	130pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	PG-TO220-2-1
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	70 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	4A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 4 A

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