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IDH03G65C5XKSA2

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IDH03G65C5XKSA2

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-2-1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-1

Menge:

Auf Lager : 460 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.7575

$1.7575
10

$1.4611

$14.611
100

$1.16318

$116.318
500

$0.98425

$492.125
1000

$0.83512

$835.12
2000

$0.79337

$1586.74
5000

$0.76354

$3817.7
10000

$0.73827

$7382.7

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	CoolSiC™+
Package	Tube
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Not For New Designs
Base Product Number	IDH03G65
Capacitance @ Vr, F	100pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	PG-TO220-2-1
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	50 µA @ 650 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	3A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 3 A

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