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IDH03G65C5XKSA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IDH03G65C5XKSA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TO220-2-2

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 650V 3A TO220-2-2

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	CoolSiC™+
Package	Bulk
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-2
Product Status	Active
Capacitance @ Vr, F	100pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	PG-TO220-2-2
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	50 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	650 V
Current - Average Rectified (Io)	3A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.7 V @ 3 A

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