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IDC08S120EX1SA3

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

IDC08S120EX1SA3

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

Sawn on foil

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARB 1.2KV 7.5A WAFER

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	CoolSiC™+
Package	Bulk
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	Die
Product Status	Obsolete
Base Product Number	IDC08S120
Capacitance @ Vr, F	380pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	Sawn on foil
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	180 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Current - Average Rectified (Io)	7.5A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 7.5 A

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