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HUF75309D3

Harris Corporation

Hersteller Teil #:

HUF75309D3

Hersteller:

Harris Corporation

Paket:

I-PAK

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL POWER MOSFET

Menge:

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Name des Kontakts

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Harris Corporation
Series	-
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max)	45W (Tc)
Supplier Device Package	I-PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	24 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	350 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	17A (Tc)

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