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HGT1S10N120BNS

Fairchild Semiconductor

Hersteller Teil #:

HGT1S10N120BNS

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Paket:

TO-263AB

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

IGBT, 35A, 1200V, N-CHANNEL, TO-

Menge:

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Land

Menge

Datencode

Mfr	Fairchild Semiconductor
Series	-
Package	Bulk
IGBT Type	NPT
Input Type	Standard
Gate Charge	100 nC
Power - Max	298 W
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Test Condition	960V, 10A, 10Ohm, 15V
Switching Energy	320µJ (on), 800µJ (off)
Base Product Number	HGT1S10
Td (on/off) @ 25°C	23ns/165ns
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Supplier Device Package	TO-263AB
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Current - Collector (Ic) (Max)	35 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200 V

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