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HAT2173N-EL-E

Renesas Electronics America Inc

Hersteller Teil #:

HAT2173N-EL-E

Hersteller:

Renesas Electronics America Inc

Paket:

8-LFPAK-iV

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 25A 8LFPAK

Menge:

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Name des Kontakts

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Renesas Electronics America Inc
Series	-
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	6V @ 20mA
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15.3mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max)	30W (Tc)
Supplier Device Package	8-LFPAK-iV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4350 pF @ 10 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Ta)

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