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GB02SLT12-252

GeneSiC Semiconductor

Hersteller Teil #:

GB02SLT12-252

Hersteller:

GeneSiC Semiconductor

Paket:

TO-252

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 5A TO252

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Land

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Datencode

Mfr	GeneSiC Semiconductor
Speed	No Recovery Time > 500mA (Io)
Series	SiC Schottky MPS™
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Product Status	Obsolete
Base Product Number	GB02SLT12
Capacitance @ Vr, F	131pF @ 1V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-252
Reverse Recovery Time (trr)	0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	50 µA @ 1200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	1200 V
Current - Average Rectified (Io)	5A
Operating Temperature - Junction	-55°C ~ 175°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.8 V @ 2 A

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