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GA10JT12-263

GeneSiC Semiconductor

Hersteller Teil #:

GA10JT12-263

Hersteller:

GeneSiC Semiconductor

Paket:

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

TRANS SJT 1200V 25A

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Land

Menge

Datencode

Mfr	GeneSiC Semiconductor
Series	-
Package	Tube
FET Type	-
Vgs (Max)	-
Technology	SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	-
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	-
Base Product Number	GA10JT12
Operating Temperature	175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max)	170W (Tc)
Supplier Device Package	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1403 pF @ 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)

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