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G3R350MT12J

GeneSiC Semiconductor

Hersteller Teil #:

G3R350MT12J

Hersteller:

GeneSiC Semiconductor

Paket:

TO-263-7

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

Menge:

Auf Lager : 5712 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$5.2345

$5.2345
10

$4.6702

$46.702
25

$4.46234

$111.5585
100

$4.1648

$416.48
250

$3.97955

$994.8875
500

$3.84466

$1922.33
1000

$3.71356

$3713.56
2500

$3.54825

$8870.625

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Datencode

Mfr	GeneSiC Semiconductor
Series	G3R™
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±15V
Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.69V @ 2mA
Base Product Number	G3R350
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max)	75W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	334 pF @ 800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)

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