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FESB16JT-E3/81

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Hersteller Teil #:

FESB16JT-E3/81

Hersteller:

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Paket:

TO-263AB (D²PAK)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB

Menge:

Auf Lager : 1241 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.634

$1.634
10

$1.35375

$13.5375
100

$1.07768

$107.768

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Datencode

Mfr	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Speed	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	Standard
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Base Product Number	FESB16
Capacitance @ Vr, F	145pF @ 4V, 1MHz
Supplier Device Package	TO-263AB (D²PAK)
Reverse Recovery Time (trr)	50 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr	10 µA @ 600 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)	600 V
Current - Average Rectified (Io)	16A
Operating Temperature - Junction	-65°C ~ 150°C
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	1.5 V @ 16 A

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