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FDT457N

Fairchild Semiconductor

Hersteller Teil #:

FDT457N

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Paket:

SOT-223-4

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

Menge:

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Menge

Datencode

Mfr	Fairchild Semiconductor
Series	-
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max)	3W (Ta)
Supplier Device Package	SOT-223-4
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	5.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	235 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A (Ta)

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