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FDS86267P

onsemi

Hersteller Teil #:

FDS86267P

Hersteller:

onsemi

Paket:

8-SOIC

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SOIC

Menge:

Auf Lager : 5889 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.539

$1.539
10

$1.3775

$13.775
100

$1.07407

$107.407
500

$0.88728

$443.64
1000

$0.70048

$700.48

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Datencode

Mfr	onsemi
Series	PowerTrench®
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±25V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	FDS86267
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	255mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Supplier Device Package	8-SOIC
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1130 pF @ 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.2A (Ta)

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