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FDP2D3N10C

Fairchild Semiconductor

Hersteller Teil #:

FDP2D3N10C

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Paket:

TO-220-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

N-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Fairchild Semiconductor
Series	PowerTrench®
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 700µA
Base Product Number	FDP2D3
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max)	214W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11180 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	222A (Tc)

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