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FDMS4435BZ

Fairchild Semiconductor

Hersteller Teil #:

FDMS4435BZ

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Paket:

8-PQFN (5x6)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

Menge:

Auf Lager : 1500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

532

$0.532

$283.024

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Datencode

Mfr	Fairchild Semiconductor
Series	PowerTrench®
Package	Bulk
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±25V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta), 39W (Tc)
Supplier Device Package	8-PQFN (5x6)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2050 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9A (Ta), 18A (Tc)

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