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FDB150N10

Fairchild Semiconductor

Hersteller Teil #:

FDB150N10

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Paket:

D²PAK (TO-263)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

Menge:

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Firmenname

Land

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Datencode

Mfr	Fairchild Semiconductor
Series	PowerTrench®
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 49A, 10V
Power Dissipation (Max)	110W (Tc)
Supplier Device Package	D²PAK (TO-263)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	69 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4760 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	57A (Tc)

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