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FDB016N04AL7

Fairchild Semiconductor

Hersteller Teil #:

FDB016N04AL7

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Paket:

TO-263-7

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Menge:

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Land

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Datencode

Mfr	Fairchild Semiconductor
Series	PowerTrench®
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Base Product Number	FDB016
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max)	283W (Tc)
Supplier Device Package	TO-263-7
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	11600 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	160A (Tc)

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