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FCPF190N60E

Fairchild Semiconductor

Hersteller Teil #:

FCPF190N60E

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Paket:

TO-220F-3

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

Menge:

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Firmenname

Land

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Datencode

Mfr	Fairchild Semiconductor
Series	SuperFET® II
Package	Bulk
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-3 Full Pack
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max)	39W (Tc)
Supplier Device Package	TO-220F-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	82 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3175 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20.6A (Tc)

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