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EFC4C002NLTDG

Texas Instruments

Hersteller Teil #:

EFC4C002NLTDG

Hersteller:

Texas Instruments

Paket:

8-WLCSP (6x2.5)

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Texas Instruments
Series	-
Package	Bulk
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	2.6W
Configuration	2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-XFBGA, WLCSP
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 1mA
Base Product Number	EFC4C002
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	8-WLCSP (6x2.5)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6200pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	-

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