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DMT10H9M9SH3

Diodes

Hersteller Teil #:

DMT10H9M9SH3

Hersteller:

Diodes

Paket:

TO-251

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB

Menge:

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Firmenname

Land

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Datencode

Mfr	Diodes Incorporated
Series	-
Package	Tube
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	DMT10
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	114W (Tc)
Supplier Device Package	TO-251
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2085 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	84A (Tc)

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