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DMT10H015LFG-13

Diodes

Hersteller Teil #:

DMT10H015LFG-13

Hersteller:

Diodes

Paket:

POWERDI3333-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333

Menge:

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Firmenname

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Datencode

Mfr	Diodes Incorporated
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerVDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Base Product Number	DMT10
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	2W (Ta), 35W (Tc)
Supplier Device Package	POWERDI3333-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1871 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10A (Ta), 42A (Tc)

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