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DMNH10H028SPSQ-13

Diodes

Hersteller Teil #:

DMNH10H028SPSQ-13

Hersteller:

Diodes

Paket:

PowerDI5060-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8

Menge:

Auf Lager : 2500 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$1.862

$1.862
10

$1.5428

$15.428
100

$1.22797

$122.797
500

$1.03903

$519.515
1000

$0.88161

$881.61

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Datencode

Mfr	Diodes Incorporated
Series	-
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	N-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Base Product Number	DMNH10
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max)	1.6W (Ta)
Supplier Device Package	PowerDI5060-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	36 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2245 pF @ 50 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)

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