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BSS84XHZGG2CR

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

BSS84XHZGG2CR

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

DFN1010-3W

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W

Menge:

Auf Lager : 4502 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$0.532

$0.532
10

$0.456

$4.56
100

$0.31682

$31.682
500

$0.24736

$123.68
1000

$0.20106

$201.06
2000

$0.17974

$359.48

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	Automotive, AEC-Q101
Package	Tape & Reel (TR)
FET Type	P-Channel
Vgs (Max)	±20V
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	-
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	3-XFDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 100µA
Base Product Number	BSS84
Operating Temperature	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	5.3Ohm @ 230mA, 10V
Power Dissipation (Max)	1W (Ta)
Supplier Device Package	DFN1010-3W
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	34 pF @ 30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	230mA (Ta)

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