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BSO615N

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSO615N

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-DSO-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	SIPMOS®
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate
Power - Max	2W
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 20µA
Base Product Number	BSO615
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 2.6A, 4.5V
Supplier Device Package	PG-DSO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.6A

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