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BSM300D12P2E001

Rohm Semiconductor

Hersteller Teil #:

BSM300D12P2E001

Hersteller:

Rohm Semiconductor

Paket:

Module

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

Menge:

Auf Lager : 67 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$703.4845

$703.4845
12

$692.58246

$8310.98952

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Datencode

Mfr	Rohm Semiconductor
Series	-
Package	Tray
Technology	Silicon Carbide (SiC)
FET Feature	-
Power - Max	1875W
Configuration	2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	Module
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 68mA
Base Product Number	BSM300
Operating Temperature	-40°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Supplier Device Package	Module
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	35000pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	300A (Tc)

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