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BSC0910NDIATMA1

Infineon Technologies

Hersteller Teil #:

BSC0910NDIATMA1

Hersteller:

Infineon Technologies

Paket:

PG-TISON-8

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8

Menge:

Auf Lager : 12616 Anteil

Minimum: 1 Vielfache: 1

Menge

Stückpreis

Ext-Preis

1

$2.337

$2.337
10

$2.1033

$21.033
100

$1.69081

$169.081
500

$1.38914

$694.57
1000

$1.151

$1151
2000

$1.07162

$2143.24

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Datencode

Mfr	Infineon Technologies
Series	OptiMOS™
Package	Tape & Reel (TR)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
FET Feature	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Power - Max	1W
Configuration	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type	Surface Mount
Package / Case	8-PowerTDFN
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Base Product Number	BSC0910
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package	PG-TISON-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.6nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4500pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A, 31A

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