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APTSM120AM55CT1AG

Microsemi Corporation

Hersteller Teil #:

APTSM120AM55CT1AG

Hersteller:

Microsemi Corporation

Paket:

SP1

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

POWER MODULE - SIC

Menge:

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Name des Kontakts

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Microsemi Corporation
Series	-
Package	Bulk
Technology	Silicon Carbide (SiC)
FET Feature	-
Power - Max	470W
Configuration	2 N-Channel (Dual), Schottky
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	SP1
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 2mA
Base Product Number	APTSM120
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 40A, 20V
Supplier Device Package	SP1
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	272nC @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5120pF @ 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	74A (Tc)

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