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APTSM120AM09CD3AG

Microsemi Corporation

Hersteller Teil #:

APTSM120AM09CD3AG

Hersteller:

Microsemi Corporation

Paket:

Module

Datencode:

Datenblatt:

Beschreibung:

MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE

Menge:

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Firmenname

Land

Menge

Datencode

Mfr	Microsemi Corporation
Series	-
Package	Bulk
Technology	Silicon Carbide (SiC)
FET Feature	-
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Mounting Type	Chassis Mount
Package / Case	Module
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 9mA
Base Product Number	APTSM120
Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 180A, 20V
Supplier Device Package	Module
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1224nC @ 20V
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 1000V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	337A (Tc)

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